Zde se dozvíte mnohé nejen z elektrotechniky, ale i z dějin a současnosti letecké techniky i dějin světa, též rady a triky, jak pořídit dobré fotografie.
Pozor, vyhledávač pracuje především na soubory uložené mezi lety 2008 a 2012, nové soubory nahrané od 1.1. do 1.7. 2013 z 99,5% nesnímá!!!, novější soubory nejsou problém.

Tranzistor

Tranzistor je polovodičová součástka, kterou tvoří dvojice přechodů PN. Jedná se v podstatě o spojení dvou polovodičových diod v jedné součástce, většinu vlastností tranzistoru však dvojicí diod nahradit nelze. Tranzistor je základem všech dnešních integrovaných obvodů, jako např. procesorů, pamětí atd.

Tranzistorový efekt byl objeven a tranzistor vynalezen 16. prosince 1947 v Bellových laboratořích týmem ve složení William Shockley, John Bardeen a Walter Brattain. Za tento objev jim byla roku 1956 udělena Nobelova cena za fyziku, jednalo se o vemi významný objev, který vedl k faktickému vědeckotechnickému převratu v oblasti aplikované elektrotechniky, v praxi se to projevuje zejména obrovskou mírou miniaturizace jednotlivých součástek a tím i neustálým zvyšováním koncentrace polovodičových součástek vztaženou na jednotku plochy.

Každý tranzistor má (nejméně) tři elektrody, které se u bipolárních tranzistorů označují jako kolektor, báze a emitor, u unipolárních jako drain, gate a source. Podle uspořádání použitých polovodičů typu P nebo N se rozlišují dva typy bipolárních tranzistorů, NPN a PNP (prostřední písmeno odpovídá bázi). Unipolární tranzistory jsou označovány jako N-FET nebo P-FET.

Základní typy tranzistorů

* Bipolární - (BJT - Bipolar Junction Transistor) je ovládán připojením elektrického proudu na bázi. Velikostí tohoto proudu se ovládá proud v obvodu procházejícího mezi emitorem a kolektorem.

* Unipolární (FET)- využívají k řízení proudu mezi D a S (drain, source) elektrostatického pole, vytvořeného v obvodu řídící elektrody G (gate).

*                JFET - (Junction Field-Effect Transistor) Tranzistor s přechodovým hradlem.

*                MESFET - (MEtal Semiconductor FET) FET ve spojení se Schottkyho diodou (přechod kov-polovodič). Tento tranzistor má lepší dynamické vlastnosti.

*                MOSFET - (Metal Oxide Semiconductor FET) je polem řízený tranzistor, kde je vodivost kanálů mezi elektrodami Source a Drain ovládána elektrickým polem ve struktuře kov-oxid-polovodič. Tento tranzistor má možnost větší hustotu integrace ( integrované obvody ).

*                MISFET - (Metal Insulation Semiconductor FET) 1) S indukovným kanálem 2) S vodivým kanálem

Princip činnosti

Popis funkce bipolárního tranzistoru: uvažujme jednoduché zapojení tranzistoru NPN jako zesilovače: Přivedeme-li napětí na bázi tranzistoru, dojde k vyzdvižení elektronů polovodiče do vodivostního pásu, a tím se přechod NPN stane vodivý. Proud prochází z kolektoru do emitoru a jeho charakteristika je až na velikost stejná jako v bázi. Poměr I(ke)/I(b) se označuje jako zesílení tranzistoru.

Základní zapojení

Zapojení tranzistorového zesilovače se společným emitorem.

V elektronických obvodech může být tranzistor zapojen třemi základními způsoby. Podle elektrody, která je společná pro vstupní i výstupní signál se rozlišuje zapojení se společným emitorem (SE), společnou bází (SB) a společným kolektorem (SC). Nejčastěji se však používá zapojení se společným emitorem (SE), viz obrázek. Důležitou informaci o vlastnostech tranzistoru podávají jeho výstupní charakteristiky. Celková charakteristika se zakresluje do kartézského souřadnicového systému.

Matematický popis tranzistoru

K výpočtu zesilovacího činitele (jako například h21E) se používá tzv. hybridních rovnic.

u1 = h11 i1 + h12 u2

i2 = h21 i1 + h22 u2

Můžeme dosadit např. pro zapojení SE :

uBE = h11 iB + h12 uCE

iC = h21 iB + h22 uCE

z toho např. h11:

h11 = uBE / iB při uCE = 0, => UCE = konst.

Stejně tak platí vztah IE = IC + IB. Ten platí vždy a to v jakémkoli zapojení.

h11 = Diferenciální vstupní odpor při výstupu nakrátko.

h12 = Diferenciální zpětný napěťový přenos při vstupu naprázdno.

h21 = Diferenciální proudový přenos při výstupu nakrátko. (někdy uváděn jako hFE nebo β)

h22 = Diferenciální výstupní vodivost při vstupu naprázdno.

Můžeme také počítat s Admitančními rovnicemi :

i1 = y11 u1 + y12 u2
i2 = y21 u1 + y22 u2

*       POZNÁMKA - všímejte si malých a velkých písmen, neboť velká jsou statické hodnoty a malá jsou dynamické - tzn. že velká písmena vyjadřují chování v ustáleném stavu při stejnosměrných veličinách, kdežto malá písmena určují chování (okamžité hodnoty) při střídavých veličinách. Je nutné brát toto v potaz!

Schematické značení tranzistorů

Pro označování tranzistorů v elektrotechnických schematech se používá jednoduchých grafických symbolů:

P-kanál(báze)

N-kanál(báze)

JFET

MOSFET-indukovaný kanál

 

Bipolární

 

Rozdělení tranzistorů podle výkonu

*       slaboproudé tranzistory (ať už jako jednotlivé součástky, obvykle tzv. výkonové tranzistory, či součástky integrované v čipech a mikročipech kupř. v mikropocesorech), nejčastěji používané i velice běžné ve všech moderních elektronických systémech z oblasti výpočetní techniky, telekomunikační techniky, spotřební elektroniky apod.

*       silnoprodé tranzistory, používané málo a to výhradně v oblasti silnoproudé elektroniky pouze pro velmi specilizované technické aplikace (spolu se silnoproudými diodami a tyristory).

 

22.07.2008 08:38:14
jan.kostra
Adobe reader 9.4 porteble.jpg
Převod skenů do editovatelného textu.pdf  208.3kB
Sken, tištěnou předlohu či vyfotografovaný text převedu do formátů doc, docx, rtf, html, či txt. Text dokážu převést i ze zabezpečených souborů pdf. bližší info na kontaktech v inzerátu.

Líbí se vám tyto stránky?

Ano (3593 | 24%)
Ne (3838 | 26%)
líbí se mi obsah (1927 | 13%)
líbí se mi grafika (1967 | 13%)

Našli jste zde co jste hledali??

Ano, vše (1681 | 20%)
Ano, z větší části (1692 | 20%)
Ano, z měnší části (1706 | 20%)
Ne, to co jsem hledal(a) (1693 | 20%)

Která rubrika se Vám líbila nejvíce?

Dějepis (2910 | 6%)
Letecká technika (2863 | 6%)
logitronik (2835 | 6%)
Ledkovky (2867 | 6%)
Anna Franková (2808 | 5%)
schematické značky (2867 | 6%)
číselné systémy (2817 | 5%)
jednotky soustavy SI (2898 | 6%)
vývoj počítačů (2746 | 5%)
integrované obvody (2833 | 5%)
schemata (2915 | 6%)
Psychologie (1614 | 3%)
Pedagogika ( | 0%)
Knihovnička ( | 0%)
PC Software ( | 0%)

Jaký typ fotoaparátu preferujety

Digitální zrcadlovku (1696 | 20%)
Digitální Ultrazoom (1663 | 20%)
Digitální kompakt (1676 | 20%)

Jaký webový prohlížeč užíváte??

Internet Explorer 9 (1708 | 13%)
Internet Explorer 8 (1723 | 13%)
Internet Explorer 7 (1679 | 12%)
Google Chrom (1721 | 13%)
Mozila Firefox (1711 | 13%)
Opera (1698 | 12%)
Jiný (1701 | 12%)
Internet Expolrer 10 (1592 | 12%)

Jaký je Váš oblíbený Cad sofrware??

Eagle (1704 | 10%)
MultiSIM (1684 | 10%)
Google skatch (1709 | 10%)
jiný (1694 | 10%)
Děkuji za návštěvu a doufám, že nalezené informace byli dostatečné Váší potřebě.
V případě potíží mě kontaktujte na e-mail: petrasek.jan@windowslive.com .
administrátor Petrásek Jan
přístup: http://www.webgarden.cz/index.php?action=logoutuser
Name
Email
Comment
Or visit this link or this one